答辩PPT高分逻辑:国家重点研发计划这样做就对了!(附PPT源文件)

一、项目背景与核心目标

后摩尔时代，硅基芯片面临漏电流、工艺变异等物理极限，二维半导体因独特性能成为 “终极沟道”，且被纳入国家 “十四五” 集成电路发展规划。项目核心目标是突破晶圆级二维半导体集成的 “卡脖子” 瓶颈（材料、转移、界面、接触四大难题），构建≥10⁴晶体管 / 芯片、接触电阻≤100 Ω・μm 的晶圆级二维 CMOS 平台，实现高端芯片自主可控。

二、研究内容与技术突破

围绕 “薄膜可控制备 - 原子级界面调控 - 千门级功能验证” 全链条，分解为五大课题。关键技术突破包括：12 英寸单晶薄膜制备（畴尺寸 > 500μm，覆盖率 > 99%）、真空直接键合转移技术（无聚合物残留）、高 κ 栅介质原位集成（界面态密度 < 10¹⁰ cm⁻² eV⁻¹）、N/P 型精准掺杂与低阻接触（迁移率≥100 cm²/V・s），且工艺兼容 CMOS（温度≤400℃），同步开发 AI 在线监测优化生长过程。

三、团队基础与预期成果

研发团队由多位教授、院士领衔，获多项国家级奖项，合作单位涵盖中科院、头部芯片制造企业等，具备扎实理论与工程基础。预期实现 5900 晶体管 32 位 RISC-V 处理器（执行 37 种指令，功耗 0.43 mW），贯通 “材料 - 工艺 - 器件 - 电路 - 系统” 全链条。项目获国家政策支持，通过产学研合作缓释量产风险，为后摩尔时代高端芯片提供可量产技术路径。

02

PPT模板